Мемристоры: надо подождать
До коммерческой реализации революционного типа памяти должно пройти еще минимум пару лет.
Ранее считалось, что первые изделия на мемристорах появятся к лету 2013 года.
Впервые мемристоры (сокр. от англ. memory resistor — «резистор памяти») были теоретически описаны в 1971 году профессором Леоном Чуа из Калифорнийского университета в Беркли. На тот момент было известно о трех основных элементах электрических схем — резисторе, конденсаторе и индукторе. Десятилетия спустя было доказано существование мемристоров, а также то, что их можно заставить переключаться вперед-назад между двумя и большим числом уровней электрического сопротивления, фактически обретая форму нулей и единиц в цифровых вычислениях.
Тип памяти, которая может быть создана на базе мемристоров, называется ReRAM (резистивная память случайного доступа). Речь идет об энергонезависимом хранении данных, то есть информация не пропадает при отключении подачи электроэнергии. Мемристорная технология в перспективе способна заменить равно как привычную оперативную DRAM-память, так и флеш-накопители, объединив их. Подготовленные по 15-нм техпроцессу и четырехуровневому дизайну образцы располагают плотностью хранения данных в 12 Гбайт на квадратный сантиметр.
© СОТОВИК