Представлена 20-нм флеш-память для телефонов
Автор статьи: Юрий Стрельченко
Intel и Micron разработали первую в мире флеш-память типа NAND по 20-нм технологическому процессу, что стало дальнейшим шагом на пути миниатюризации, энергоэффективности и увеличения емкости встроенных в мобильные устройства накопителей данных.
Так, 8-Гбайт микросхема на 30-40% меньше в размерах, нежели нынешние лучшие представители 25-нм флеш-чипов. Как ожидается, 20-нм база обеспечит такую же скорость обмена данными, но с существенным уменьшением стоимости производства эквивалентных объемов, поскольку на той же площадке можно разместить на 50% больше гигабайт данных. Опять же новинка отвечает непрекращающемуся процессу миниатюризации вычислительных устройств: 128-Гбайт флеш-накопитель, составленный из упакованных 16-Гбайт микросхем, окажется меньше в размерах почтовой марки.
8-Гбайт образцы чипов уже отправлены партнерам, а массовый их выпуск намечен на второе полугодие. Вскоре примкнут и 16-Гбайт изделия.
© СОТОВИК