Samsung разработала скоростную оперативную память для смартфонов
Микросхемы оперативной памяти LPDDR3 для мобильных устройств в полтора раза быстрее и на 20% энергоэкономичнее нынешнего поколения таких чипов.
Samsung воплотила DRAM-чипы LPDDR3 емкостью 4 Гбит, или 512 Мбайт, строящиеся на 30-нм техпроцессе, способные передавать данные со скоростью до 1600 Мбит/с. Для сравнения: современные LPDDR2-модули располагают производительностью в 1066 Мбит/с.
Новинки появятся в составе смартфонов и планшетов уже во втором квартале.
Samsung надеется, что новые микросхемы оперативной памяти окажутся однозначно востребованными, ведь всё ведет к увеличению разрешающей способности мобильных экранов и популярности трехмерных видеографических эффектов на фоне роста процессорной производительности. Повсеместное принятие новинки состоится в 2013 году, когда минимальные требования к оперативной памяти мобильных устройств поднимутся с одного до двух гигабайт.
© СОТОВИК