«Стеклянная» память пришла на мобильные устройства

Micron Technology объявила о выпуске 45-нм модулей памяти с фазовым переходом (PCM) для мобильных устройств. Первые микросхемы являются гибридными, располагая энергонезависимым PCM-модулем на 128 Мбайт и LPDDR2-модулем оперативной памяти на 64 Мбайт. Зафиксирована скорость случайного чтения данных в пределах 400 Мбайт/с, и это хороший показатель, учитывая, что речь идет о первом поколении PCM-памяти.

Заявлено о готовности к массовому производству новинок, которые сейчас ориентированы на простые мобильники, а затем, когда появятся микросхемы более крупного объема, подтянутся смартфоны и планшеты.

Память с фазовым переходом (phase-change memory, PCM, PRAM), разработки вокруг которой ведутся уже три десятилетия, опирается на халькогенид, стеклянное вещество, содержащее посеребренные полупроводники, такие как германий, сурьма и теллур. Искомые полупроводники обладают свойством менять собственное физическое состояние, выраженное упорядочиванием атомов, из кристаллического в аморфное путем приложения небольшой порции тепла. А так как у этих двух состояний характеристики электросопротивления различны — кристаллическая фаза с большим сопротивлением (логическая единица) и аморфная с малым сопротивлением (логический ноль) — и могут быть легко измерены, халькогениды выступают идеальным материалом для хранения данных. Существующие образцы могут находиться даже в четырех отдельных состояниях, что позволяет хранить в одной ячейке сразу два разряда. Похожие халькогенидные материалы благодаря меняющемуся коэффициенту преломления используются в традиционных перезаписываемых оптических дисках CD-RW и DVD-RW.

Память с фазовым переходом при должном развитии способна по итогам заменить собой не только флеш-память, но и нынешние модули оперативной памяти, требующей постоянной подпитки электричеством.

© СОТОВИК