Сегодня компания НР объявила о подписании соглашения о сотрудничестве с Hynix Semiconductor Inc., мировым поставщиком накопителей информации, с целью вывода мемристора – нового элемента электрической цепи, демонстрация которого состоялась в НР Labs — на рынок запоминающих устройств будущего.
НР и Hynix Semiconductor Inc. будут совместно разрабатывать новые материалы и технологию интеграции для обеспечения перехода технологии мемристоров из исследований в коммерческое использование в форме ReRAM (резистивной памяти случайного доступа). Технологии мемристора будут использованы компанией Hynix в дальнейших исследованиях и разработках.
ReRAM — это вид хранения информации, нестираемый при отключении питания, который отличается низким энергопотреблением. Данная технология в перспективе может заменить флэш-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах и MP3 плеерах. ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя — то есть памяти, которая может вести себя, как Flash, DRAM или жесткий диск.Мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее современных твердотельных накопителей и могут сохранять информацию даже при выключенном питании. Мемристор (сокр. от англ. "memory resistor" — «резистор памяти ») был предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором Университета Калифорнии (Berkeley) Леоном Чуа в 1971г. и впервые реализован на практике разработчиками Лабораторий НР, главного научно-исследовательского подразделения компании, в 2006г.
В начале этого года исследователи HP Labs сообщили об открытии, согласно которому мемристоры также могут совершать логические операции. Это позволяет полагать, что устройства, созданные на основе мемристоров, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощи отдельного центрального процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах, хранящих информацию.
© СОТОВИК