Микросхемы памяти станут трехмерными
Автор статьи: Юрий Стрельченко
IBM и Micron Technology занялись совместным доведением до ума первых микросхем оперативной памяти, опирающихся на производственные КМОП-технологии с соединениями, проходящими через кремниевую пластину.
Речь идет о вертикальных проводниках, которые электрически соединяют стопки отдельных чипов.
IBM приложит свои трехмерные производственные технологии к созданному в Micron «гибридному кубу памяти» (Hybrid Memory Cube): проводники пройдут сквозь стопку микросхем оперативной памяти, объединяя трехмерную микроструктуру чипов. Технологический процесс установлен в 32-нм рамках. Прототипы показывают производительность на уровне 128 Гбайт/с, тогда как нынешние самые современные DDR3-чипы хвастаются 12,8 Гбайт/с. Заявлено также о 70-процентном снижении энергопотребления, притом что чипы занимают лишь 10% от площади сегодняшних микросхем.
© СОТОВИК