Грядет магниторезистивная оперативная память
Автор статьи: Юрий Стрельченко
Японская Toshiba и южнокорейская Hynix Semiconductor решили подготовиться к будущему, сформировав партнерство, чтобы вести совместную разработку и производство магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
В отличие от обычной оперативной памяти запоминающие устройства этого типа хранят информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Важнейшее преимущество MRAM-подхода заключено в энергонезависимости, когда записанная информация сохраняется при отсутствии внешнего питания. Опять же в пику флеш-памяти MRAM-ячейки не теряют своих свойств за время эксплуатации.
Есть мнение, что MRAM-память когда-либо заменит собой все современные типы микросхем памяти в вычислительных устройствах.
Toshiba и Hynix сделают упор на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT), которая направлена на разрешение проблем, идущих попутно с ростом плотности размещения ячеек памяти и повышением тока записи.
© СОТОВИК