Резистивная оперативная память: новый прорыв
Samsung сообщила о достижении существенных успехов на ниве технологии резистивной оперативной памяти. Инженерам корейской корпорации удалось заставить прототипы этой энергонезависимой памяти переключаться между записью и удалением данных до триллиона раз.
Такой показатель в миллион раз выше, нежели жизненный цикл стандартной флеш-памяти. Последняя рано или поздно уступит место куда более перспективным типам вроде памяти с фазовым переходом, ферроэлектрической, магниторезистивной или резистивной.
Основная идея резистивной оперативной памяти (resistive random access memory, RRAM) состоит в том, что диэлектрик, который, как правило, не проводит ток, может быть переведен в токопроводящее состояние путем приложения к нему достаточно высокого напряжения. Формирование проходимости электронов через особые нити реализовано различными механизмами, например, дефектами, миграцией металла и т. п. Тепловой или ионный резистивный эффект переключения показан на примере большого числа неорганических и органических систем: например, халькогениды с фазовым изменением, бинарные переходы оксидов металлов, перовскиты, твердотельные электролиты, органические комплексы с переносом заряда, органические донорно-акцепторные системы, различные молекулярные системы.
Исследователи Samsung воспользовались структурами на основе оксида тантала вместо кремниевых конструкций. Кроме значительного удлинения жизненного цикла прототипы удовлетворяют основным требованиям, таким как высокая плотность хранения данных, быстрота переключения и низкое энергопотребление.
© СОТОВИК