Компания ARM и корпорация IBM объявили о заключении партнерского соглашения, цель которого – расширить сотрудничество в области инновационных полупроводниковых технологий и ускорить разработку мобильных электронных устройств следующего поколения, оптимизированных для достижения высоких уровней производительности и энергетической эффективности.
Созданная в рамках этого проекта комплексная технология будет включать целый ряд научно-физических и процессорных новаций, составляющих интеллектуальную собственность ARM. Промышленная реализация этой технологии будет адаптирована к передовому производственному процессу от IBM с нормами вплоть до 14 нанометров, что поможет упростить разработку и ускорить вывод на рынок электронных изделий с улучшенными характеристиками.
По мере роста требований потребителей к таким характеристикам мобильных устройств, как время работы от батарей, непрерывный доступ в Интернет, безопасность транзакций и высококачественные мультимедийные возможности, проектирование полупроводниковых микросхем как «строительных блоков» этих устройств становится все более сложным. В стремлении достичь требуемых показателей производительности, потребляемой мощности и плотности компоновки при размещении на кристалле сотен миллионов транзисторов проектировщикам приходится учитывать эффекты наномасштаба при применении метода литографии, неустойчивость свойств материалов и многое другое. Эта возросшая сложность потенциально влияет на увеличение времени разработки.
В рамках нового соглашения ARM и IBM будут совместно разрабатывать платформы проектирования, согласованные с производственным процессом IBM и новациями ARM в области физики полупроводников и микропроцессорных технологий. Это сотрудничество призвано минимизировать риски и устранить ограничения на пути к дальнейшей миниатюризации при одновременном достижении оптимальных показателей плотности компоновки, производительности, потребляемой мощности и других характеристик для однокристальных систем (SoC, system-on-a-chip), а также ускорить появление на рынке инновационных электронных устройств.
Начало предыдущего проекта сотрудничества IBM и ARM в области передовой схемотехники и геометрических характеристик чипов было положено в 2008 году. Результатом совместных усилий стало внедрение мощного всеобъемлющего процесса и целого ряда усовершенствований, направленных на улучшение плотности компоновки, трассируемости, технологичности, производительности и потребляемой мощности SoC-систем. Более того, благодаря предшествующей совместной работе над производственными процессами с технологическими нормами 32 нм и 28 нм, ARM уже поставила одиннадцать тестовых чипов для проведения дальнейших исследований и испытательный. Кроме того, ARM определила направления специфических оптимизаций ядер процессоров ARM, включая новейшее процессорное ядро ARM Cortex-A9, реализованное с применением технологии HKMG (High-K/Metal Gate; предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов).
Анонсированное соглашение укрепляет и расширяет инициативу согласованной совместной разработки полупроводникового процесса и базовых функциональных блоков Physical IP, а также программу оптимизации микропроцессорного ядра. Все эти усилия направлены на создание лидирующих на рынке SoC-решений. Наряду с этим, нынешнее соглашение с IBM даст ARM дополнительные возможности для проведения дальнейших испытаний прототипов микросхем в соответствие с выработанным перспективным планом и поможет обеспечить быстрый вывод на рынок необходимой платформы решений Physical и Processor IP для узлов (точек межсоединений) масштаба 20-14 нм.
© СОТОВИК