Toshiba похвасталась 19-нм флеш-микросхемами
Автор статьи: Юрий Стрельченко
… и это является прямым намеком на появление смартфонов и планшетов со 128-Гбайт объемом флеш-хранилища без серьезного увеличения их себестоимости.
Toshiba предложила первые образцы флеш-памяти типа NAND, построенной в рамках 19-нм технологического процесса. 8-Гбайт микросхемы предполагают размещение двух битов на ячейку, а упаковка 16 чипов обеспечит появление 128-Гбайт флеш-накопителей. Поддержка обмена данными Toggle DDR2.0 реализует быстрые скорости. В будущем не исключен переход к размещению трех битов на ячейку для дальнейшего роста емкостей.
Массовое производство новинки намечено на летний период. Понятно, 128-Гбайт смартфоны и планшеты не окажутся дешевыми в ближайшее время, но 64-Гбайт их модели в цене, конечно же, потеряют. Ни один из ныне продаваемых телефонов не располагает объемом встроенного флеш-хранилища или емкостью microSDHC-карты более 32 Гбайт.
© СОТОВИК