Samsung разработала новый тип мобильной памяти
Автор статьи: Юрий Стрельченко
… которая в восемь раз расширяет собственную пропускную способность, и реализовано это невероятно просто: в модулях LPDDR2 число контактов увеличено в 16 раз, то есть с 32 до 512.
В итоге производительность памяти выросла в 8 раз, если сравнивать с обычными мобильными DDR-чипами: с прежних 1,6 Гбайт/с до 12,8 Гбайт/с. По отношению к сегодняшней памяти LPDDR2 прирост четырехкратен.
Попутно на 87% снижено энергопотребление.
Разработка вначале найдет воплощение на 50-нм микросхемах емкостью в 1 Гбит (128 Мбайт), переход на 20-нм техпроцесс и чипы объемом 4 Гбит (512 Мбайт) займет относительно длительное время: новинки появятся только в 2013 году. Сейчас подобная память производится в 30-нм рамках.
© СОТОВИК